Chapter 14
용어집 & 종합 퀴즈
소자 물리는 기호와 약어의 숲이다. ni, EF, Vbi, SRH, φB, VFB, EOT, SS, DIBL, GIDL, β, VA, fT, EQE, FF… 이 장은 책 전체에 흩어진 핵심 용어를 한곳에 모은 사전이자, 결정에서 레이저까지 전 범위를 점검하는 마무리 시험이다.
- 한국어·영어·약어 어느 쪽으로든 용어를 찾아 정의와 해당 챕터로 바로 이동할 수 있다.
- 밴드·통계·수송·재결합에서 pn·쇼트키·MOS·MOSFET·BJT·광소자까지 각 장의 핵심 개념과 계산을 스스로 점검한다.
- 틀린 문제의 챕터를 확인하고 약한 부분을 다시 공부할 계획을 세운다.
용어집
검색창에 한국어(예: 공핍층), 영어(예: mobility), 약어(예: DIBL) 중 아무것이나 입력하면 바로 걸러진다. 정의 본문도 검색 대상이다. 챕터 칩으로 범위를 좁히고, 가나다순 또는 챕터순으로 묶어 볼 수 있다.
챕터
정렬
종합 퀴즈
전 챕터 문제 은행에서 무작위로 고른 20문항이다. 개념 문제와 간단한 계산 문제가 섞여 있다(필요하면 300 K, kT/q ≈ 25.9 mV, Si ni ≈ 1.07×10¹⁰ cm⁻³, εSi = 11.7ε₀를 쓴다). 한 문제씩 풀고 나면 해설과 관련 챕터 링크가 나온다. 끝까지 풀면 챕터별 정답률 그래프와 “등급”을 보여 준다. 다시 풀기를 누르면 문제와 보기 순서가 새로 섞인다.
문제 1 / 20정답 0
YOUR RANK
마치며
- 모든 소자 이야기는 밴드와 페르미 준위에서 시작한다. 주기적 격자가 밴드를 만들고, 상태 밀도 × 페르미–디랙 분포가 캐리어 수를 정한다.
- 전류는 드리프트 + 확산, 캐리어 수의 변화는 생성 − 재결합이다. 여기에 푸아송 방정식을 더하면 드리프트–확산 모형이 완성된다.
- pn·쇼트키·MOS 접합은 모두 “페르미 준위를 맞추느라 밴드가 휜다”는 같은 그림이다. 장벽 높이와 공핍층이 전류와 용량을 정한다.
- MOSFET은 게이트가 채널 전위를 얼마나 쥐고 있느냐의 싸움이다. SS 60 mV/dec의 한계, DIBL과 Vth 롤오프가 FinFET·GAA로 가는 이유다.
- BJT는 소수 캐리어 주입, 광소자는 광 생성과 복사 재결합의 응용이다. 같은 방정식이 증폭·검출·발광으로 모양을 바꾼다.